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即使在5纳米的超薄厚度下，全部其依然有11.2K的超导转变温度和36±2T的上临界磁场。玩意重要的是晶片规模尺寸高质量超导膜可以使用应用材料公司的Endura®300-mmImpulse™PVD物理气相沉积设备来制备。

该文并探讨了其超导转变温度，百货上临界磁场强度，不可逆磁场强度，超导相干长度等物理特性与其薄膜厚度的密切关系。全部（c）和（d）：5纳米和50纳米薄膜的上临界磁场以及不可逆磁场强度对于温度的关系。玩意证实了使用工业规模的物理气相沉积技术为量子器件生产高性能外延超导薄膜的切实可行性。

百货图4  与磁场相关的氮化铌薄膜超导特性。全部右上角插图为氮化铌晶格常数以及（111）衍射峰的半高宽与其厚度的关系

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